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双独立温区滑轨炉CVD设备(可于生长硫化钼)

简要描述:双独立温区滑轨炉CVD设备(可于生长硫化钼)提供两个独立滑动的温场,两温场独立控制,每个温场的加热区的长度为230mm,可在实验过程中推进或推离样品,提供两个位置的快升降温。

  • 产品型号:BTF-1200C-II-SSL-CVD
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2021-09-27
  • 访  问  量:141

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详细介绍

品牌其他品牌产地类别进口
应用领域电子,综合

双独立温区滑轨炉CVD设备(可于生长硫化钼)主要特点

1.此款设备提供两个独立滑动的温场,两温场独立控制,每个温场的加热区的长度为230mm,可在实验过程中推进或推离样品,提供两个位置的快升降温。

2.纵向多接口真空法兰设计,各种附加接口具有高度可扩展性。航空铝合金法兰支架外形美观,轻便坚固耐腐蚀,安装调节简便易学。避免传统钣金法兰支架的安装调节不便,在安装多种附件时容易导致法兰偏斜漏气甚至石英管意外破碎的情况。

3.同时法兰端采用卡箍密封,这样就使进料出料更加的方便。

4.采用触摸屏和工控电脑自动控制,参数设置和操作直观方便,参数自动记录保持。

5.进气系统可以按照客户的实验需求配置几路质量流量计,流量计的量程也可以选择不同的配置,真空系统也可以根据客户的需求选择配置各种真空泵。

 

双独立温区滑轨炉CVD设备(可于生长硫化钼)技术参数

双独立温场滑轨炉BTF-1200C-II-SSL

BTF-1200C-II-SSL-CVD

炉管尺寸:外径(50mm,60mm,80mm,100mm)可选
加热元件:电阻丝(Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo)
加热区长度:230mm+230mm
恒温区长度:80mm+80mm(±1℃)
工作温度:1100℃
最高温度:1200℃
控温方式:模糊PID控制和自整定调节,智能化30段可编程控制,具有超温和断偶报警功能
控温精度:±1℃
升温速度:20度/分钟
炉门结构:开启式
工作电源:AC220V /50HZ
额定功率:4KW

供气系统

BTF-1200C-II-SSL-CVD

标准量程(N2):100sccm、200sccm、500sccm;
准确度:±1.5%
线性:±0.5~1.5%
重复精度:±0.2%
响应时间:气特性:1~4 Sec,电特性:10 Sec
工作压差范围:0.1~0.5 MPa
最大压力:3MPa
连接头类型:双卡套不锈钢接头Φ6

低真空系统

BTF-1200C-II-SSL-CVD

空气相对湿度≤85%
工作电电压:220V±10%  50~60HZ
功率:1千瓦
  抽气速率:4L/s
  极限真空:4X10-2Pa
  实验真空度:1.0X10-1Pa


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