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CVD系统

简要描述:CVD系统是借助于辉光放电等方法产生等离子体,辉光放电等离子体中:电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍,使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电,有效地利用了非平衡等离子体的反应特征,从根本上改变了反应体系的能量供给方式,低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点,工艺流程简单。

  • 产品型号:BTF-1200C-II-PECVD
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2021-10-22
  • 访  问  量:1415

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详细介绍

品牌其他品牌价格区间面议
仪器种类管式炉产地类别国产
应用领域能源,建材,电气,综合

  CVD系统配有前端预加热炉,辅助固态源蒸发,后端为单温区加热炉 ,温度控制精确,操作简便,对于气相沉积,二维材料,等离子处理生长工艺非常合适,也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。

1.与传统CVD系统比较,生长温度更低。

2.使用滑轨炉实现快速升温和降温。

3.设备*的技术使得整管辉光均匀等效,均匀生长

1.加热系统

最高温度

1200

使用温度

≤1100

炉膛有效尺寸

Φ50mm(炉管直径可根据实际需要定制)

炉膛材料

氧化铝、高温纤维制品

热电偶类型

K型热电偶

控温精度

±1

控温方式

30段可编程控温,PID参数自整定

加热长度

200+200mm

恒温长度

100+100mm

加热原件

电阻丝

供电电源

单相,220V,50Hz

      2、预热系统系统       

最高温度

400

炉膛有效尺寸

Φ50mm(炉管直径可根据实际需要定制)

炉膛材料

氧化铝、高温纤维制品

热电偶类型

K型热电偶

控温精度

±1

控温方式

30段可编程控温,PID参数自整定

加热长度

100mm

加热原件

电阻丝

额定功率

800W

      3、PE系统

功率输出范围

0W~500W

最大反射功率

100W

射频输出接口

50 Ω, N-type, female

功率稳定度

≤5W

谐波分量

≤-50dbc

供电电压

单相交流(187V-253V 频率50/60HZ

整机效率

>=70%

功率因素

>=90%

冷却方式

强制风冷

      4、三路质子流量控制系统

连接头类型

双卡套不锈钢接头

标准量程(N2)

50sccm100sccm500sccm(可根据用户要求定制)

准确度

±1.5%F.S

线性

±1%F.S

重复精度

±0.2%F.S

响应时间

气特性:14 Sec,电特性:10 Sec

工作压差范围

0.10.5 MPa

最大压力

3MPa

接口

Φ6,1/4''

显示

4位数字显示

工作环境温度

5~45高纯气体

压力真空表

0.10.15 MPa, 0.01 MPa/

截止阀

Φ6

内外双抛不锈钢管

Φ6

      5、低真空机组

空气相对湿度

≤85%

工作环境

5℃40℃

工作电电压

280V

抽气速率

32m³/h

极限真空

5X10-1Pa(空载冷态)

工作压力范围

1.01325X1051.33X10-2Pa

耐压值

0.03MPa

进气口口径

KF40

排气口口径

KF40

连接方式

采用波纹管,手动挡板阀与波纹管相连

 

 

 

 

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