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复合氧化物氢分离膜制备用CVD设备

简要描述:复合氧化物氢分离膜制备用CVD设备,可以实现在多孔氧化铝陶瓷管和陶瓷片上化学沉积上氧化物(SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2)和复合氧化物(Al2O3-SiO2、SiO2-TiO2、SiO2- ZrO2)氢分离膜。

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  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2021-09-27
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详细介绍

品牌其他品牌产地类别进口
应用领域电子,综合

主要特点

  复合氧化物氢分离膜制备用CVD设备,可以实现在多孔氧化铝陶瓷管和陶瓷片上化学沉积上氧化物(SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2)和复合氧化物(Al2O3-SiO2、SiO2-TiO2、SiO2- ZrO2)氢分离膜。

 

  设备复合氧化物氢分离膜制备用CVD设备结构

  1) 主体加热为三段加热系统,最高使用温度为1000℃;

  2) 3个液态源加热蒸发鼓泡器,最高温度300℃,独立控温。

  3) 3路进气系统,分别为氮气、氩气和氢气,皆可直接进入混气室载进入真空腔体,且流量分别可控,流量计控制精度为±1.5%F.S。另外氮气作为吹扫气,分别通过流量计并列进入三个液态源后再进入混气室,三路均配有单独阀门控制。

  4) 陶瓷盲管长620mm,外径12mm,内径9mm。距离开口端250mm至350mm处,为孔径0.2μm的沉积段,其余管外壁已釉封;

  5) 陶瓷管开端在石英管一侧固定并进行陶瓷管的内外密封(见示意图1)。需要固定时间间隔,从陶瓷管内进行抽气,满足透出载气的气袋收集和流量检测两种功能,并实现两种功能间的切换。

  6) 陶瓷片样品直径30mm,厚度3mm。3个样品台,每个样品台上可同时放置3片陶瓷片样品。

  7) 设备空间尽量小。

  8) 后端真空连接系统.

 

  技术参数

炉体架构

上下开启式

额定功率

7KW

额定电压

AC 208-240V Single Phase,50/60 Hz

最高温度

1000°C

持续工作温度

≤900°C

推荐升温速率

0-20 ℃/min

炉管材质

310S钢管

炉管尺寸

异形钢管Φ80*1200mm+Φ25mm

保温装置

炉管两端配有保温水冷法兰装置,便于取放

加热区长度加热区长度

200+200+200mm

恒温区长度

400mm

控温方式

模糊PID控制和自整定调节,智能化30段可编程控制,具有超温和断偶报警功能

控温精度

±1℃

加热元件

电阻丝

炉膛材质

氧化铝纤维


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