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    型号:BTF-1200C-S-SL-CVD

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    非气态源化学气相沉积系统 1.前驱体灌温度可达400℃; 2.温度独立可调; 3.固态或液态前驱体在一定温度下蒸发后通过惰性气体带入反应区域参与的一些CVD反应。
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    型号:BTF-1200C-S-PECVD

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    微型PECVD系统,它包括小型真空管式炉,石英真空室、真空抽气与真空测量系统、气路系统、射频电源系统、物料喷射系统。电源范围宽:0-100W可调; 温度范围宽:100-1200度可调;溅射区域宽:0-600mm可调;适用范围宽:金属薄膜,陶瓷薄膜等,复合薄膜,连续生长各种薄膜等。增加功能容易,可扩展等离子清洗刻蚀等功能。
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    更新时间:2019-11-06

    型号:BTF-1200C-LH-CVD

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    流化床CVD系统—化学气相沉积法可控及批量制备碳纳米管设备,该设备包括有:自动加液装置、超声波雾化发生装置、气体供应装置、气体流量控制装置、三温区流化床反应器及加热装置、旋风分离器、固体收集装置、净化处理装置。
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    更新时间:2018-06-12

    型号:BTF-1200C-II-SL-

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    二维材料设备CVD系统前端配有可加热到400℃的预加热器,辅助二维材料蒸发,后端为双温区管式炉,温度控制精确,操作简便。并配质量流量计系统和真空系统,可以准确的反应腔体内部的气体压力和气体流量,对于做低压CVD实验非常实用,重复性好。
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